STP7NB60 STMicroelectronics | Prodotti a semiconduttore discreti

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STP7NB60
Codice DigiKey	497-2761-5-ND
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STP7NB60
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 7.2A TO220AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 7,2 A (Tc) 125W (Tc) Foro passante TO-220
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	STMicroelectronics
Serie	PowerMESH™
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	7,2 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,2ohm a 3,6A, 10V
Vgs(th) max a Id	5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1625 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	125W (Tc)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-220
Contenitore/involucro	TO-220-3