STS30N3LLH6 STMicroelectronics | Prodotti a semiconduttore discreti

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STS30N3LLH6
Codice DigiKey	497-10008-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STS30N3LLH6
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 30 A (Tc) 2,7W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOIC
Modelli EDA/CAD	STS30N3LLH6 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	STMicroelectronics
Serie	DeepGATE™, STripFET™ VI
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	30 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	2,4mohm a 15A, 10V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	40 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	4040 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,7W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-SOIC
Contenitore/involucro	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Codice componente base	STS30