Canale N 600 V 500mA (Tc) 3W (Tc) Foro passante TO-92-3
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STQ2HNK60ZR-AP

Codice DigiKey
497-12344-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
497-12344-3-ND - Nastrato in scatola (TB)
Produttore
Codice produttore
STQ2HNK60ZR-AP
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 500MA TO92-3
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 500mA (Tc) 3W (Tc) Foro passante TO-92-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
STQ2HNK60ZR-AP Modelli
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
4,5V a 50µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
15 nC @ 10 V
Serie
Vgs (max)
±30V
Confezionamento
Nastro pre-tagliato (CT)
Nastrato in scatola (TB)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
280 pF @ 25 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
3W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
Foro passante
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Contenitore del fornitore
TO-92-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
4,8ohm a 1A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
In magazzino: 4’413
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.14000Fr. 1.14
10Fr. 0.71500Fr. 7.15
100Fr. 0.47360Fr. 47.36
500Fr. 0.36978Fr. 184.89
1’000Fr. 0.33637Fr. 336.37
Nastrato in scatola (TB)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’000Fr. 0.30826Fr. 616.52
4’000Fr. 0.28462Fr. 1’138.48
6’000Fr. 0.27258Fr. 1’635.48
10’000Fr. 0.25905Fr. 2’590.50
14’000Fr. 0.25104Fr. 3’514.56
20’000Fr. 0.24325Fr. 4’865.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.14000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.23234