

STS10DN3LH5 | |
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Codice DigiKey | 497-10011-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-10011-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-10011-6-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | STS10DN3LH5 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 10A 2,5W A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | STS10DN3LH5 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | STMicroelectronics | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Non per nuovi progetti | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 30V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 10A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 21mohm a 5A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 1V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 4,6nC a 5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 475pF a 25V | |
Potenza - Max | 2,5W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) | |
Contenitore del fornitore | 8-SOIC | |
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 1.48000 | Fr. 1.48 |
10 | Fr. 0.94100 | Fr. 9.41 |
100 | Fr. 0.63290 | Fr. 63.29 |
500 | Fr. 0.50086 | Fr. 250.43 |
1’000 | Fr. 0.46120 | Fr. 461.20 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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2’500 | Fr. 0.37680 | Fr. 942.00 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.48000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.59988 |