Name: STS5P3LLH6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-15484-2-ND
Price: 1.04857 CHF
Availability: InStock

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STS5P3LLH6
Codice DigiKey	497-15484-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-15484-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-15484-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STS5P3LLH6
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 5A 8SO
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 5 A (Ta) 2,7W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STS5P3LLH6 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	STMicroelectronics
Serie	DeepGATE™, STripFET™ H6
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Data di acquisto finale
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	5 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	56mohm a 2,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	6 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	639 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,7W (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-SOIC
Contenitore/involucro	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Codice componente base	STS5P3

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Nastrato in bobina (TR)