Name: STS6P3LLH6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STS6P3LLH6TR-ND
Price: 0.95128 CHF
Availability: InStock

Canale P 30 V 6 A (Ta) 2,7W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC

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STS6P3LLH6
Codice DigiKey	497-STS6P3LLH6TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-STS6P3LLH6CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-STS6P3LLH6DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STS6P3LLH6
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 6A 8SO
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 6 A (Ta) 2,7W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1V a 250µA (min)
Produttore STMicroelectronics	Carica del gate (Qg) max a Vgs 12 nC @ 4.5 V
Serie DeepGATE™, STripFET™ VI	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1450 pF @ 24 V
Stato componente Data di acquisto finale	Dissipazione di potenza (max) 2,7W (Ta)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6 A (Ta)	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base STS6P3
RDSon (max) a Id, Vgs 30mohm a 3A, 10V

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Sostituti (3)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMP3037LSS-13	Diodes Incorporated	2’097	DMP3037LSS-13DICT-ND	Fr. 0.58000	Simile
PJL9404_R2_00001	Panjit International Inc.	0	3757-PJL9404_R2_00001TR-ND	Fr. 0.10557	Simile
TSM180P03CS RLG	Taiwan Semiconductor Corporation	1’931	TSM180P03CSRLGCT-ND	Fr. 0.88000	Simile

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