

STS6PF30L | |
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Codice DigiKey | STS6PF30L-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | STS6PF30L |
Descrizione | MOSFET P-CH 30V 6A 8SO |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 30 V 6 A (Tc) 2,5W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | STS6PF30L Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 30mohm a 3A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 28 nC @ 5 V | |
Vgs (max) | ±16V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1670 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 2,5W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 8-SOIC | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |