Name: STS8DN3LLH5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-10391-2-ND
Price: 2.04309 CHF
Availability: InStock

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STS8DN3LLH5
Codice DigiKey	497-10391-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-10391-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-10391-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STS8DN3LLH5
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
Tempi di consegna standard del produttore	13 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 10A 2,7W A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STS8DN3LLH5 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	RDSon (max) a Id, Vgs 19mohm a 5A, 10V
Produttore STMicroelectronics	Vgs(th) max a Id 1V a 250µA
Serie STripFET™ V	Carica del gate (Qg) max a Vgs 5,4nC a 4,5V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 724pF a 25V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 2,7W
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Contenitore del fornitore 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 10A	Codice componente base STS8DN3

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In magazzino: 3’510

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.89000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.04309

STS8DN3LLH5