Name: STS8N6LF6AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-17150-2-ND
Price: 1.11343 CHF
Availability: InStock

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STS8N6LF6AG
Codice DigiKey	497-17150-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-17150-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-17150-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STS8N6LF6AG
Descrizione	MOSFET N-CHANNEL 60V 8A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 8 A (Ta) 3,2W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STS8N6LF6AG Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	STMicroelectronics
Serie	STripFET™ F6
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	8 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	24mohm a 4A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	27 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1340 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,2W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-SOIC
Contenitore/involucro	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Codice componente base	STS8N6

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Nastrato in bobina (TR)