STT2PF60L STMicroelectronics | Prodotti a semiconduttore discreti

STT2PF60L è obsoleto e non è più in produzione.

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Prezzo unitario : Fr. 0.46000

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STT2PF60L
Codice DigiKey	497-8045-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STT2PF60L
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 2A SOT23-6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 2 A (Tc) 1,6W (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STT2PF60L Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	STMicroelectronics
Serie	STripFET™ II
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	250mohm a 1A, 10V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	7 nC @ 10 V
Vgs (max)	±15V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	313 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,6W (Tc)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23-6
Contenitore/involucro	SOT-23-6
Codice componente base	STT2P