Simile
Simile
Simile
Simile
Simile
Simile
Simile
Simile
Simile

STW58N65DM2AG | |
|---|---|
Codice DigiKey | 497-16137-5-ND |
Produttore | |
Codice produttore | STW58N65DM2AG |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 48A TO247 |
Tempi di consegna standard del produttore | 20 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 48 A (Tc) 360W (Tc) Foro passante TO-247-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | STW58N65DM2AG Modelli |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 88 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±25V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4100 pF @ 100 V |
Confezionamento Tubo | Dissipazione di potenza (max) 360W (Tc) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Tipo di montaggio Foro passante |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-247-3 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 65mohm a 24A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 5V a 250µA |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFH60N65X2 | IXYS | 5’072 | 238-IXFH60N65X2-ND | Fr. 12.00000 | Simile |
| IXTH48N65X2 | IXYS | 450 | IXTH48N65X2-ND | Fr. 10.31000 | Simile |
| IXTH52N65X | IXYS | 0 | IXTH52N65X-ND | Fr. 6.89067 | Simile |
| IXTH62N65X2 | IXYS | 350 | IXTH62N65X2-ND | Fr. 11.74000 | Simile |
| SIHW47N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | 460 | SIHW47N60EF-GE3-ND | Fr. 8.85000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 600 | Fr. 5.73030 | Fr. 3’438.18 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 5.73030 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 6.19445 |






