ES3CBH
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SMBJ30C

Codice DigiKey
1801-SMBJ30CTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Taiwan Semiconductor Corporation
Codice produttore
SMBJ30C
Descrizione
TVS DIODE 30VWM 53.5VC DO214AA
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
53,5V Fascetta 11,7A Ipp TVS - Diodi A montaggio superficiale DO-214AA (SMB)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Taiwan Semiconductor Corporation
Serie
SMBJ
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo
-
Canali bidirezionali
1
Tensione - Interdizione inversa (tip.)
30V
Tensione - Rottura (min)
33,3V
Tensione - Tenuta (max) a Ipp
53,5V
Corrente - Impulso di picco (10/1000 µs)
11,7A
Potenza - Impulso di picco
600W
Protezione linea di alimentazione
No
Applicazioni
Uso generale
Capacità a frequenza
-
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
DO-214AA, SMB
Contenitore del fornitore
DO-214AA (SMB)
Codice componente base
SMBJ30
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
6’000Fr. 0.11082Fr. 664.92
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.11082
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.11980