Name: TSM2NB60CP
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: 1801-TSM2NB60CPTR-ND
Price: 0.27773 CHF
Availability: OutOfStock

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TSM2NB60CP
Codice DigiKey	1801-TSM2NB60CPTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Taiwan Semiconductor Corporation
Codice produttore	TSM2NB60CP
Descrizione	600V, 2A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 2 A (Tc) 44W (Tc) A montaggio superficiale TO-252 (DPAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TSM2NB60CP Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Taiwan Semiconductor Corporation
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	4,4ohm a 1A, 10V
Vgs(th) max a Id	4,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	9.4 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	249 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	44W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-252 (DPAK)
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	TSM2

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Nastrato in bobina (TR)