Name: CSD13306WT
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-41134-2-ND
Price: 1.4053 CHF
Availability: InStock

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CSD13306WT
Codice DigiKey	296-41134-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 296-41134-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 296-41134-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Texas Instruments
Codice produttore	CSD13306WT
Descrizione	MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
Tempi di consegna standard del produttore	6 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 12 V 3,5 A (Ta) 1,9W (Ta) A montaggio superficiale 6-DSBGA (1x1,5)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	CSD13306WT Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Texas Instruments
Serie	NexFET™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	12 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3,5 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	10,2mohm a 1,5A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	11.2 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1370 pF @ 6 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,9W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	6-DSBGA (1x1,5)
Contenitore/involucro	6-UFBGA, DSBGA
Codice componente base	CSD13306

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Nastrato in bobina (TR)