Name: CSD16327Q3T
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-47650-2-ND
Price: 1.79446 CHF
Availability: InStock

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CSD16327Q3T
Codice DigiKey	296-47650-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 296-47650-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 296-47650-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Texas Instruments
Codice produttore	CSD16327Q3T
Descrizione	MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
Tempi di consegna standard del produttore	6 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 25 V 60 A (Tc) 74W (Tc) A montaggio superficiale 8-VSON-CLIP (3,3x3,3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	CSD16327Q3T Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Texas Instruments
Serie	NexFET™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	25 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	60 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	3V, 8V
RDSon (max) a Id, Vgs	4mohm a 24A, 8V
Vgs(th) max a Id	1,4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	8.4 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	+10V, -8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1300 pF @ 12.5 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	74W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-VSON-CLIP (3,3x3,3)
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN
Codice componente base	CSD16327

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Nastrato in bobina (TR)