Name: CSD17318Q2
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-49599-2-ND
Price: 0.5405 CHF
Availability: InStock

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CSD17318Q2
Codice DigiKey	296-49599-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 296-49599-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 296-49599-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Texas Instruments
Codice produttore	CSD17318Q2
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 25A 6WSON
Tempi di consegna standard del produttore	6 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 25 A (Tc) 16W (Tc) A montaggio superficiale 6-WSON (2x2)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	CSD17318Q2 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Texas Instruments
Serie	NexFET™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	25 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,5V, 8V
RDSon (max) a Id, Vgs	15,1mohm a 8A, 8V
Vgs(th) max a Id	1,2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	6 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	879 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	16W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	6-WSON (2x2)
Contenitore/involucro	6-WDFN piazzola esposta
Codice componente base	CSD17318

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Nastrato in bobina (TR)