Canale N 30 V 65 A (Tc) 3W (Ta) A montaggio superficiale 8-VSONP (5x6)
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Canale N 30 V 65 A (Tc) 3W (Ta) A montaggio superficiale 8-VSONP (5x6)

CSD17327Q5A

Codice DigiKey
296-CSD17327Q5ATR-ND - Nastrato in bobina (TR)
296-CSD17327Q5ACT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
296-CSD17327Q5ADKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Texas Instruments
Codice produttore
CSD17327Q5A
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 65A 8VSON
Tempi di consegna standard del produttore
6 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 65 A (Tc) 3W (Ta) A montaggio superficiale 8-VSONP (5x6)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
CSD17327Q5A Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Texas Instruments
Serie
NexFET™
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
65 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 8V
RDSon (max) a Id, Vgs
12,2mohm a 11A, 8V
Vgs(th) max a Id
2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
3.4 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
506 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-VSONP (5x6)
Contenitore/involucro
8-PowerTDFN
Codice componente base
CSD17327
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.21000Fr. 1.21
10Fr. 0.76400Fr. 7.64
100Fr. 0.50900Fr. 50.90
500Fr. 0.39954Fr. 199.77
1’000Fr. 0.36432Fr. 364.32
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 0.32619Fr. 815.47
5’000Fr. 0.30262Fr. 1’513.10
7’500Fr. 0.29062Fr. 2’179.65
12’500Fr. 0.28689Fr. 3’586.12
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.21000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.30801