Name: CSD17576Q5BT
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-CSD17576Q5BTTR-ND
Price: 2.02147 CHF
Availability: InStock

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CSD17576Q5BT
Codice DigiKey	296-CSD17576Q5BTTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 296-CSD17576Q5BTCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 296-CSD17576Q5BTDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Texas Instruments
Codice produttore	CSD17576Q5BT
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 100 A (Ta) 3,1W (Ta), 125W (Tc) A montaggio superficiale 8-VSONP (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	CSD17576Q5BT Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,8V a 250µA
Produttore Texas Instruments	Carica del gate (Qg) max a Vgs 32 nC @ 4.5 V
Serie NexFET™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4430 pF @ 15 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,1W (Ta), 125W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore 8-VSONP (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 100 A (Ta)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base CSD17576Q5
RDSon (max) a Id, Vgs 2mohm a 25A, 10V

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In magazzino: 814

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Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.87000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.02147

CSD17576Q5BT