Canale N 40 V 22 A (Ta), 100 A (Tc) 3,1W (Ta), 150W (Tc) A montaggio superficiale 8-VSONP (5x6)
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CSD18501Q5A

Codice DigiKey
296-30570-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
296-30570-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
296-30570-6-ND - Digi-Reel®
Produttore
Texas Instruments
Codice produttore
CSD18501Q5A
Descrizione
MOSFET N-CH 40V 22A/100A 8VSON
Tempi di consegna standard del produttore
12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 40 V 22 A (Ta), 100 A (Tc) 3,1W (Ta), 150W (Tc) A montaggio superficiale 8-VSONP (5x6)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
CSD18501Q5A Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Texas Instruments
Serie
NexFET™
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
22 A (Ta), 100 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
3,2mohm a 25A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3840 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3,1W (Ta), 150W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-VSONP (5x6)
Contenitore/involucro
8-PowerTDFN
Codice componente base
CSD18501
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In magazzino: 1’908
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 2.37000Fr. 2.37
10Fr. 1.53300Fr. 15.33
100Fr. 1.05920Fr. 105.92
500Fr. 0.88390Fr. 441.95
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 0.83768Fr. 2’094.20
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 2.37000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 2.56197
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