Name: CSD18535KTTT
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-44121-2-ND
Price: 4.76721 CHF
Availability: InStock

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CSD18535KTTT
Codice DigiKey	296-44121-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 296-44121-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 296-44121-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Texas Instruments
Codice produttore	CSD18535KTTT
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 200A/279A DDPAK
Tempi di consegna standard del produttore	6 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 200 A (Ta), 279 A (Tc) 300W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (DDPAK-3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	CSD18535KTTT Modelli

Attributi del prodotto

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Category Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,4V a 250µA
Produttore Texas Instruments	Carica del gate (Qg) max a Vgs 81 nC @ 10 V
Serie NexFET™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6620 pF @ 30 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore TO-263 (DDPAK-3)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 200 A (Ta), 279 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base CSD18535
RDSon (max) a Id, Vgs 2mohm a 100A, 10V