Name: CSD18543Q3AT
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-45302-2-ND
Price: 1.57826 CHF
Availability: InStock

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CSD18543Q3AT
Codice DigiKey	296-45302-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 296-45302-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 296-45302-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Texas Instruments
Codice produttore	CSD18543Q3AT
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 12A/60A 8VSON
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 12 A (Ta), 60 A (Tc) 66W (Tc) A montaggio superficiale 8-VSONP (3x3,3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	CSD18543Q3AT Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Texas Instruments
Serie	NexFET™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	12 A (Ta), 60 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	15,6mohm a 12A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	2,7V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	14.5 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1150 pF @ 30 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	66W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-VSONP (3x3,3)
Contenitore/involucro	8-PowerVDFN
Codice componente base	CSD18543

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Nastrato in bobina (TR)