Name: CSD19502Q5B
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-37194-2-ND
Price: 2.65926 CHF
Availability: InStock

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CSD19502Q5B
Codice DigiKey	296-37194-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 296-37194-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 296-37194-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Texas Instruments
Codice produttore	CSD19502Q5B
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 100A 8VSON
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 100 A (Ta) 3,1W (Ta), 195W (Tc) A montaggio superficiale 8-VSON-CLIP (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	CSD19502Q5B Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Texas Instruments
Serie	NexFET™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	80 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	100 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	4,1mohm a 19A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	62 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	4870 pF @ 40 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,1W (Ta), 195W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-VSON-CLIP (5x6)
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN
Codice componente base	CSD19502

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.46000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.65926

CSD19502Q5B