Name: CSD19535KTTT
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-41135-2-ND
Price: 5.38338 CHF
Availability: InStock

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CSD19535KTTT
Codice DigiKey	296-41135-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 296-41135-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 296-41135-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Texas Instruments
Codice produttore	CSD19535KTTT
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 200 A (Ta) 300W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (DDPAK-3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	CSD19535KTTT Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Texas Instruments
Serie	NexFET™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	200 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	3,4mohm a 100A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	98 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	7930 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-263 (DDPAK-3)
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	CSD19535

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Quantità

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
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10	Fr. 3.33700	Fr. 33.37

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Nastrato in bobina (TR)