Name: CSD22206WT
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-47005-2-ND
Price: 1.64312 CHF
Availability: InStock

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CSD22206WT
Codice DigiKey	296-47005-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 296-47005-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 296-47005-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Texas Instruments
Codice produttore	CSD22206WT
Descrizione	MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA
Tempi di consegna standard del produttore	6 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 8 V 5 A (Ta) 1,7W (Ta) A montaggio superficiale 9-DSBGA
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	CSD22206WT Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Texas Instruments
Serie	NexFET™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	8 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	5 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	5,7mohm a 2A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,05V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	14.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	-6V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2275 pF @ 4 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,7W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	9-DSBGA
Contenitore/involucro	9-UFBGA, DSBGA
Codice componente base	CSD22206

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Nastrato in bobina (TR)