Name: CSD23382F4
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-40003-2-ND
Price: 0.38916 CHF
Availability: InStock

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CSD23382F4
Codice DigiKey	296-40003-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 296-40003-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 296-40003-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Texas Instruments
Codice produttore	CSD23382F4
Descrizione	MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 12 V 3,5 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	CSD23382F4 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,1V a 250µA
Produttore Texas Instruments	Carica del gate (Qg) max a Vgs 1.35 nC @ 6 V
Serie FemtoFET™	Vgs (max) ±8V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 235 pF @ 6 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 12 V	Contenitore del fornitore 3-PICOSTAR (1x0.60)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,5 A (Ta)	Contenitore/involucro 3-XFDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V	Codice componente base CSD23382
RDSon (max) a Id, Vgs 76mohm a 500mA, 4,5V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.36000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.38916

CSD23382F4