Canale P 20 V 4 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale 9-DSBGA
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CSD25202W15

Codice DigiKey
296-39837-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
296-39837-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
296-39837-6-ND - Digi-Reel®
Produttore
Texas Instruments
Codice produttore
CSD25202W15
Descrizione
MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
Tempi di consegna standard del produttore
6 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 20 V 4 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale 9-DSBGA
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
CSD25202W15 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Texas Instruments
Serie
NexFET™
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale P
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
4 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
1,8V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs
26mohm a 2A, 4,5V
Vgs(th) max a Id
1,05V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
7.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
-6V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1010 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
500mW (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
9-DSBGA
Contenitore/involucro
9-UFBGA, DSBGA
Codice componente base
CSD25202
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 0.79000Fr. 0.79
10Fr. 0.49000Fr. 4.90
100Fr. 0.31940Fr. 31.94
500Fr. 0.24612Fr. 123.06
1’000Fr. 0.22251Fr. 222.51
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.17736Fr. 532.08
6’000Fr. 0.16321Fr. 979.26
9’000Fr. 0.15600Fr. 1’404.00
15’000Fr. 0.14790Fr. 2’218.50
21’000Fr. 0.14311Fr. 3’005.31
30’000Fr. 0.14246Fr. 4’273.80
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.79000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.85399