Name: CSD25304W1015
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-40005-2-ND
Price: 0.68103 CHF
Availability: InStock

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CSD25304W1015
Codice DigiKey	296-40005-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 296-40005-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 296-40005-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Texas Instruments
Codice produttore	CSD25304W1015
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
Tempi di consegna standard del produttore	6 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 3 A (Ta) 750mW (Ta) A montaggio superficiale 6-DSBGA (1x1,5)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	CSD25304W1015 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Texas Instruments
Serie	NexFET™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,8V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	32,5mohm a 1,5A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,15V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	4.4 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	595 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	750mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	6-DSBGA (1x1,5)
Contenitore/involucro	6-UFBGA, DSBGA
Codice componente base	CSD25304

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Nastrato in bobina (TR)