Name: CSD25480F3
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-48903-2-ND
Price: 0.30268 CHF
Availability: InStock

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CSD25480F3
Codice DigiKey	296-48903-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 296-48903-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 296-48903-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Texas Instruments
Codice produttore	CSD25480F3
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 1.7A 3PICOSTAR
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 1,7 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	CSD25480F3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,2V a 250µA
Produttore Texas Instruments	Carica del gate (Qg) max a Vgs 0.91 nC @ 4.5 V
Serie FemtoFET™	Vgs (max) -12V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 155 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Contenitore del fornitore 3-PICOSTAR (0.69x0.60)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1,7 A (Ta)	Contenitore/involucro 3-XFLGA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 8V	Codice componente base CSD25480
RDSon (max) a Id, Vgs 132mohm a 400mA, 8V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)