Name: CSD85301Q2T
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-38668-2-ND
Price: 1.5134 CHF
Availability: InStock

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CSD85301Q2T
Codice DigiKey	296-38668-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 296-38668-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 296-38668-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Texas Instruments
Codice produttore	CSD85301Q2T
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 5A 2,3W A montaggio superficiale 6-WSON (2x2)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	CSD85301Q2T Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Texas Instruments
Serie	NexFET™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	Gate livello logico, comando 5V
Tensione drain/source (Vdss)	20V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	5A
RDSon (max) a Id, Vgs	27mohm a 5A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	5,4nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	469pF a 10V
Potenza - Max	2,3W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	6-WDFN piazzola esposta
Contenitore del fornitore	6-WSON (2x2)
Codice componente base	CSD85301

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Nastrato in bobina (TR)