MOSFET - Array 25V 20A 6W A montaggio superficiale 8-LSON (3,3x3,3)
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MOSFET - Array 25V 20A 6W A montaggio superficiale 8-LSON (3,3x3,3)

CSD86330Q3D

Codice DigiKey
296-28216-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
296-28216-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
296-28216-6-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
CSD86330Q3D
Descrizione
MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
Tempi di consegna standard del produttore
6 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 25V 20A 6W A montaggio superficiale 8-LSON (3,3x3,3)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
CSD86330Q3D Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Texas Instruments
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (semiponte)
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
25V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
20A
RDSon (max) a Id, Vgs
9,6mohm a 14A, 8V
Vgs(th) max a Id
2,1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
6,2nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
920pF a 12,5V
Potenza - Max
6W
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-PowerLDFN
Contenitore del fornitore
8-LSON (3,3x3,3)
Codice componente base
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In magazzino: 17’180
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 2.30000Fr. 2.30
10Fr. 1.48500Fr. 14.85
100Fr. 1.02430Fr. 102.43
500Fr. 0.84782Fr. 423.91
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 0.69579Fr. 1’739.48
5’000Fr. 0.69266Fr. 3’463.30
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 2.30000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 2.48630