MOSFET - Array 30V A montaggio superficiale 8-WSON (3,3x3,3)
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CSD87313DMS

Codice DigiKey
296-51020-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
296-51020-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
296-51020-6-ND - Digi-Reel®
Produttore
Texas Instruments
Codice produttore
CSD87313DMS
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 8WSON
Tempi di consegna standard del produttore
6 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V A montaggio superficiale 8-WSON (3,3x3,3)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
CSD87313DMS Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Texas Instruments
Serie
NexFET™
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
Drain comune a 2 canali N (duale)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
-
RDSon (max) a Id, Vgs
-
Vgs(th) max a Id
1,25V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
28nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
4290pF a 15V
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-PowerWDFN
Contenitore del fornitore
8-WSON (3,3x3,3)
Codice componente base
CSD87313
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.68000Fr. 1.68
10Fr. 1.07400Fr. 10.74
100Fr. 0.72820Fr. 72.82
500Fr. 0.57998Fr. 289.99
1’000Fr. 0.55319Fr. 553.19
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 0.48078Fr. 1’201.95
5’000Fr. 0.45195Fr. 2’259.75
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.68000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.81608