Name: CSD87313DMST
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-46623-2-ND
Price: 2.76736 CHF
Availability: InStock

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CSD87313DMST
Codice DigiKey	296-46623-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 296-46623-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 296-46623-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Texas Instruments
Codice produttore	CSD87313DMST
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 8WSON
Tempi di consegna standard del produttore	6 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 2,7W A montaggio superficiale 8-WSON (3,3x3,3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	CSD87313DMST Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Carica del gate (Qg) max a Vgs 28nC a 4,5V
Produttore Texas Instruments	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4290pF a 15V
Serie NexFET™	Potenza - Max 2,7W
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Stato componente Attivo	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Contenitore/involucro 8-PowerWDFN
Configurazione Drain comune a 2 canali N (duale)	Contenitore del fornitore 8-WSON (3,3x3,3)
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Codice componente base CSD87313
Vgs(th) max a Id 1,2V a 250µA

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.56000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.76736

CSD87313DMST