Name: CSD88539NDT
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-37796-2-ND
Price: 1.44854 CHF
Availability: InStock

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CSD88539NDT
Codice DigiKey	296-37796-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 296-37796-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 296-37796-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Texas Instruments
Codice produttore	CSD88539NDT
Descrizione	MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 60V 15A 2.1W A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	CSD88539NDT Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Texas Instruments
Serie	NexFET™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	-
Tensione drain/source (Vdss)	60V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	15A
RDSon (max) a Id, Vgs	28mohm a 5A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,6V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	9,4nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	741pF a 30V
Potenza - Max	2.1W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore	8-SOIC
Codice componente base	CSD88539

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Nastrato in bobina (TR)