J-FET Amplificatori 1 Circuiti 8-SOIC
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TLE2081IDR

Codice DigiKey
TLE2081IDR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
TLE2081IDR
Descrizione
IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC
Tempi di consegna standard del produttore
18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
J-FET Amplificatori 1 Circuiti 8-SOIC
Scheda tecnica
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Modelli EDA/CAD
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Attributi del prodotto
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Categoria
Tensione - Offset di ingresso
490 µV
Produttore
Corrente - Alimentazione
1,7mA
Serie
Corrente - Uscita/canale
48 mA
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Tensione - ampiezza (min)
4.5 V
Stato componente
Attivo
Tensione - ampiezza (max)
38 V
Tipo di amplificatore
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 85°C
N. di circuiti
1
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Velocità di variazione
45V/µs
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Prodotto guadagno-larghezza di banda
10 MHz
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Corrente - Polarizzazione ingresso
20 pA
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 1.56316Fr. 3’907.90
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.56316
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.68978