2SC5087R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage | Transistor RF bipolari

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Infineon Technologies

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2SC5087R(TE85L,F)
Codice DigiKey	2SC5087R(TE85LF)TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	2SC5087R(TE85L,F)
Descrizione	RF TRANS NPN 12V 8GHZ SMQ
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistore RF NPN 12V 80mA 8GHz 150mW A montaggio superficiale SMQ

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Transistor RF bipolari	Potenza - Max 150mW
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 120 a 20mA, 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Corrente - Collettore (Ic) max 80mA
Stato componente Obsoleto	Temperatura di funzionamento 125°C (TJ)
Tipo di transistor NPN	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 12V	Contenitore/involucro SC-61AA
Frequenza - Transizione 8GHz	Contenitore del fornitore SMQ
Cifra di rumore (dB tip. a f) 1,1dB ~ 2dB a 1GHz	Codice componente base 2SC5087

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
BFP620H7764XTSA1	Infineon Technologies	6’287	BFP620H7764XTSA1CT-ND	Fr. 0.49000	Simile
BFP842ESDH6327XTSA1	Infineon Technologies	5’327	BFP842ESDH6327XTSA1CT-ND	Fr. 0.48000	Simile

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