Name: 2SJ305TE85LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2SJ305TE85LFTR-ND
Price: 0.72427 CHF
Availability: InStock

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2SJ305TE85LF
Codice DigiKey	2SJ305TE85LFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 2SJ305TE85LFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 2SJ305TE85LFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	2SJ305TE85LF
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 200MA SC59
Tempi di consegna standard del produttore	52 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 200mA (Ta) 200mW (Ta) A montaggio superficiale SC-59
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 4ohm a 50mA, 2,5V
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 92 pF @ 3 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 200mW (Ta)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore SC-59
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 200mA (Ta)	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2.5V	Codice componente base 2SJ305

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.67000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.72427

2SJ305TE85LF