2SK1828TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage | Prodotti a semiconduttore discreti

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2SK1828TE85LF
Codice DigiKey	2SK1828TE85LFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 2SK1828TE85LFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	2SK1828TE85LF
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 50MA SC59
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 50mA (Ta) 200mW (Ta) A montaggio superficiale SC-59
Modelli EDA/CAD	2SK1828TE85LF Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	50mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2.5V
RDSon (max) a Id, Vgs	40ohm a 10mA, 2,5V
Vgs(th) max a Id	1,5V a 100µA
Vgs (max)	10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	5.5 pF @ 3 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	200mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SC-59
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	2SK1828

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Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)