Name: CUS08F30,H3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: CUS08F30H3FTR-ND
Price: 0.23782 CHF
Availability: InStock

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CUS08F30,H3F
Codice DigiKey	CUS08F30H3FTR-ND - Nastrato in bobina (TR) CUS08F30H3FCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) CUS08F30H3FDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	CUS08F30,H3F
Descrizione	DIODE SCHOTTKY 30V 800MA USC
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 30 V 800mA A montaggio superficiale USC
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	CUS08F30,H3F Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli	Velocità Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io)
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Corrente - Dispersione inversa a Vr 50 µA @ 30 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità a Vr, F 170pF a 0V, 1MHz
Stato componente Attivo	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tecnologia Schottky	Contenitore/involucro SC-76, SOD-323
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 30 V	Contenitore del fornitore USC
Corrente - Media rettificata (Io) 800mA	Temp. di funzionamento - Giunzione 125°C (max)
Tensione - Diretta (Vf) max a If 450 mV @ 800 mA	Codice componente base CUS08F30

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)