DF10G6M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage | Protezione dei circuiti

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DF10G6M4N,LF
Codice DigiKey	DF10G6M4NLFTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	DF10G6M4N,LF
Descrizione	TVS DIODE 5.5VWM 25VC 10DFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	25V Fascetta 2 A (8/20µs) Ipp TVS - Diodi A montaggio superficiale 10-DFN (2,5x1)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	DF10G6M4N,LF Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Protezione dei circuiti Soppressori di tensioni transitorie (TVS) Diodi TVS
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo	Zener
Canali bidirezionali	4
Tensione - Interdizione inversa (tip.)	5,5V (max)
Tensione - Rottura (min)	5,6V
Tensione - Tenuta (max) a Ipp	25V
Corrente - Impulso di picco (10/1000 µs)	2 A (8/20µs)
Potenza - Impulso di picco	30W
Protezione linea di alimentazione	No
Applicazioni	Uso generale
Capacità a frequenza	0,2pF a 1MHz
Temperatura di funzionamento	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	10-UFDFN
Contenitore del fornitore	10-DFN (2,5x1)
Codice componente base	DF10