DF2B12M1CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage | Protezione dei circuiti

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DF2B12M1CT(TPL3)
Codice DigiKey	DF2B12M1CT(TPL3)TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	DF2B12M1CT(TPL3)
Descrizione	TVS DIODE 8VWM 18VC CST2
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	18V (tip.) Fascetta 1 A (8/20µs) Ipp TVS - Diodi A montaggio superficiale CST2
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	DF2B12M1CT(TPL3) Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Protezione dei circuiti Soppressori di tensioni transitorie (TVS) Diodi TVS
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo	Zener
Canali bidirezionali	1
Tensione - Interdizione inversa (tip.)	8V (max)
Tensione - Rottura (min)	10V
Tensione - Tenuta (max) a Ipp	18V (tip.)
Corrente - Impulso di picco (10/1000 µs)	1 A (8/20µs)
Potenza - Impulso di picco	-
Protezione linea di alimentazione	No
Applicazioni	Uso generale
Capacità a frequenza	0,3pF a 1MHz
Temperatura di funzionamento	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	SOD-882
Contenitore del fornitore	CST2
Codice componente base	DF2B12