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RN1905,LF | |
|---|---|
Codice DigiKey | RN1905LFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | RN1905,LF |
Descrizione | TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA US6 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Transistor - Bipolari (BJT) - Array pre-polarizzati 2 NPN - pre-polarizzati (doppi) 50V 100mA 250MHz 200mW A montaggio superficiale US6 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | RN1905,LF Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage | |
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tipo di transistor | 2 NPN - pre-polarizzati (doppi) | |
Corrente - Collettore (Ic) max | 100mA | |
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) | 50V | |
Resistore - Base (R1) | 2,2kohm | |
Resistore - Base emettitore (R2) | 47kohm | |
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce | 80 a 10mA, 5V | |
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic | 300mV a 250µA, 5mA | |
Corrente - Interruzione collettore (max) | 500nA | |
Frequenza - Transizione | 250MHz | |
Potenza - Max | 200mW | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
Contenitore del fornitore | US6 | |
Codice componente base |
Obsoleto
Svizzera