MT3S111TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage | Prodotti a semiconduttore discreti

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MT3S111TU,LF
Codice DigiKey	MT3S111TULFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) MT3S111TULFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) MT3S111TULFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	MT3S111TU,LF
Descrizione	RF TRANS NPN 6V 10GHZ UFM
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistore RF NPN 6V 100mA 10GHz 800mW A montaggio superficiale UFM
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Transistor RF bipolari
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tipo di transistor	NPN
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	6V
Frequenza - Transizione	10GHz
Cifra di rumore (dB tip. a f)	0,6dB ~ 0,85dB a 500MHz ~ 1GHz
Guadagno	12,5dB
Potenza - Max	800mW
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce	200 a 30mA, 5V
Corrente - Collettore (Ic) max	100mA
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	3-SMD, conduttori piatti
Contenitore del fornitore	UFM
Codice componente base	MT3S111

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Tutti i prezzi sono in CHF

Nastrato in bobina (TR)