Name: RN1117MFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-RN1117MFV,L3FTR-ND
Price: 0.14053 CHF
Availability: InStock

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RN1117MFV,L3F
Codice DigiKey	264-RN1117MFV,L3FTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-RN1117MFV,L3FCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-RN1117MFV,L3FDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	RN1117MFV,L3F
Descrizione	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli pre-polarizzati NPN - pre-polarizzato 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW A montaggio superficiale VESM
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RN1117MFV,L3F Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Transistori bipolari singoli, pre-polarizzati	Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 30 a 10mA, 5V
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 300mV a 500µA, 5mA
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Corrente - Interruzione collettore (max) 500nA
Stato componente Attivo	Frequenza - Transizione 250 MHz
Tipo di transistor NPN - pre-polarizzato	Potenza - Max 150 mW
Corrente - Collettore (Ic) max 100 mA	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 50 V	Contenitore/involucro SOT-723
Resistori inclusi R1 e R2	Contenitore del fornitore VESM
Resistore - Base (R1) 10 kOhms	Codice componente base RN1117
Resistore - Base emettitore (R2) 4.7 kOhms

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.13000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.14053

RN1117MFV,L3F