Name: RN1417(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN1417(TE85LF)TR-ND
Price: 0.27025 CHF
Availability: InStock

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RN1417(TE85L,F)
Codice DigiKey	RN1417(TE85LF)TR-ND - Nastrato in bobina (TR) RN1417(TE85LF)CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	RN1417(TE85L,F)
Descrizione	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli pre-polarizzati NPN - pre-polarizzato 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW A montaggio superficiale S-Mini
Modelli EDA/CAD	RN1417(TE85L,F) Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Transistori bipolari singoli, pre-polarizzati
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente	Attivo
Tipo di transistor	NPN - pre-polarizzato
Corrente - Collettore (Ic) max	100 mA
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	50 V
Resistori inclusi	R1 e R2
Resistore - Base (R1)	10 kOhms
Resistore - Base emettitore (R2)	4.7 kOhms
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce	30 a 10mA, 5V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic	300mV a 250µA, 5mA
Corrente - Interruzione collettore (max)	500nA
Frequenza - Transizione	250 MHz
Potenza - Max	200 mW
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Contenitore del fornitore	S-Mini
Codice componente base	RN1417

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Quantità

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