RN2961(TE85L,F)
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

RN1961(TE85L,F)

Codice DigiKey
RN1961(TE85LF)TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
RN1961(TE85LF)CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore
Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore
RN1961(TE85L,F)
Descrizione
TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA US6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Transistor - Bipolari (BJT) - Array pre-polarizzati 2 NPN - pre-polarizzati (doppi) 50V 100mA 250MHz 200mW A montaggio superficiale US6
Modelli EDA/CAD
RN1961(TE85L,F) Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente
Obsoleto
Tipo di transistor
2 NPN - pre-polarizzati (doppi)
Corrente - Collettore (Ic) max
100mA
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
50V
Resistore - Base (R1)
4,7kohm
Resistore - Base emettitore (R2)
4,7kohm
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
30 a 10mA, 5V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
300mV a 250µA, 5mA
Corrente - Interruzione collettore (max)
100 nA (ICBO)
Frequenza - Transizione
250MHz
Potenza - Max
200mW
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Contenitore del fornitore
US6
Codice componente base
RN1961
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

In magazzino: 35
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Questo prodotto non è più in produzione e non sarà nuovamente disponibile a esaurimento scorte. Visualizza Articoli sostitutivi.
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 0.30000Fr. 0.30
10Fr. 0.18500Fr. 1.85
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.30000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.32430