RN1963(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage | Prodotti a semiconduttore discreti

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RN1963(TE85L,F)
Codice DigiKey	RN1963(TE85LF)TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	RN1963(TE85L,F)
Descrizione	TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA US6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Array pre-polarizzati 2 NPN - pre-polarizzati (doppi) 50V 100mA 250MHz 200mW A montaggio superficiale US6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RN1963(TE85L,F) Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Array di transistor bipolari, pre-polarizzati
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo di transistor	2 NPN - pre-polarizzati (doppi)
Corrente - Collettore (Ic) max	100mA
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	50V
Resistore - Base (R1)	22kohm
Resistore - Base emettitore (R2)	22kohm
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce	70 a 10mA, 5V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic	300mV a 250µA, 5mA
Corrente - Interruzione collettore (max)	100 nA (ICBO)
Frequenza - Transizione	250MHz
Potenza - Max	200mW
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Contenitore del fornitore	US6
Codice componente base	RN1963

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Nastrato in bobina (TR)