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RN2104MFV,L3F | |
|---|---|
Codice DigiKey | RN2104MFVL3F-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | RN2104MFV,L3F |
Descrizione | TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli pre-polarizzati PNP - pre-polarizzato 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW A montaggio superficiale VESM |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | RN2104MFV,L3F Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage | |
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo di transistor | PNP - pre-polarizzato | |
Corrente - Collettore (Ic) max | 100 mA | |
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) | 50 V | |
Resistori inclusi | R1 e R2 | |
Resistore - Base (R1) | 47 kOhms | |
Resistore - Base emettitore (R2) | 47 kOhms | |
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce | 80 a 10mA, 5V | |
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic | 300mV a 500µA, 5mA | |
Corrente - Interruzione collettore (max) | 500nA | |
Frequenza - Transizione | 250 MHz | |
Potenza - Max | 150 mW | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | SOT-723 | |
Contenitore del fornitore | VESM | |
Codice componente base |
Manufacturer Quote Required
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