Name: RN2106ACT(TPL3)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN2106ACT(TPL3)TR-ND
Price: 0.06049 CHF
Availability: InStock

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RN2106ACT(TPL3)
Codice DigiKey	RN2106ACT(TPL3)TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	RN2106ACT(TPL3)
Descrizione	TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli pre-polarizzati PNP - pre-polarizzato 50 V 80 mA 100 mW A montaggio superficiale CST3

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Transistori bipolari singoli, pre-polarizzati
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo di transistor	PNP - pre-polarizzato
Corrente - Collettore (Ic) max	80 mA
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	50 V
Resistori inclusi	R1 e R2
Resistore - Base (R1)	4.7 kOhms
Resistore - Base emettitore (R2)	47 kOhms
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce	80 a 10mA, 5V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic	150mV a 250µA, 5mA
Corrente - Interruzione collettore (max)	500nA
Potenza - Max	100 mW
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	SC-101, SOT-883
Contenitore del fornitore	CST3
Codice componente base	RN2106

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Nastrato in bobina (TR)