Name: HN1A01FE-Y,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: HN1A01FE-YLFTR-ND
Price: 0.25944 CHF
Availability: InStock

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HN1A01FE-Y,LF
Codice DigiKey	HN1A01FE-YLFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) HN1A01FE-YLFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) HN1A01FE-YLFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	HN1A01FE-Y,LF
Descrizione	TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA ES6
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Array 2 PNP (doppio) 50V 150mA 80MHz 100mW A montaggio superficiale ES6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	HN1A01FE-Y,LF Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Array di transistor bipolari
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo di transistor	2 PNP (doppio)
Corrente - Collettore (Ic) max	150mA
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	50V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic	300mV a 10mA, 100mA
Corrente - Interruzione collettore (max)	100 nA (ICBO)
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce	120 a 2mA, 6V
Potenza - Max	100mW
Frequenza - Transizione	80MHz
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	SOT-563, SOT-666
Contenitore del fornitore	ES6
Codice componente base	HN1A01

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)