Name: SSM3J112TU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM3J112TU,LFTR-ND
Price: 0.39997 CHF
Availability: InStock

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SSM3J112TU,LF
Codice DigiKey	264-SSM3J112TU,LFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-SSM3J112TU,LFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-SSM3J112TU,LFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM3J112TU,LF
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 1,1 A (Ta) 800mW (Ta) A montaggio superficiale UFM
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM3J112TU,LF Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1,1 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	390mohm a 500mA, 10V
Vgs(th) max a Id	1,8V a 100µA
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	86 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	800mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	UFM
Contenitore/involucro	3-SMD, conduttori piatti
Codice componente base	SSM3J112

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Nastrato in bobina (TR)